Estudio de la conmutación resistiva en películas delgadas de óxidos simples (Doctorado / Post-doctorado)
Director: Dr. Carlos Acha (acha@df.uba.ar)
Las observaciones de conmutación resistiva inducida por pulsos eléctricos en diversas interfases metal-óxido a temperatura ambiente crearon una gran atención en los últimos años por su potencial aplicación para construir una nueva generación de memorias no volátiles de estado sólido (llamadas memristores), gracias a su menor consumo de energía, su capacidad de fusionar localmente elementos tanto lógicos como de almacenamiento de un estado y, principalmente, la posibilidad de reducir su tamaño más allá del limite actual para el funcionamiento de las memorias flash.
En este plan de trabajo postdoctoral se buscará profundizar el conocimiento sobre la conmutación resistiva en interfases metal / óxidos simples (principalmente en CuO, pudiéndose extender los estudios a SnO, ZnO), realizados en películas delgadas mediante la técnica de PLD. El objetivo es el de lograr un buen control de la conmutación, poniendo en evidencia los parámetros que la determinan y revelar si la misma se debe a la creación de filamentos conductores de dimensionalidad reducida.
