Memoria en AM4X8 a distintas presiones (Doctorado)
Director: Dr. Carlos Acha (acha@df.uba.ar)
Los aislantes de Mott son materiales que presenten fuertes correlaciones electrónicas que llegan a alterar las propiedades eléctricas de los mismos. Un ejemplo de ellos es la familia de calcogenuros AM4X8 (M=Ga,V ; X=Se,S) que son aislantes a pesar de que los cálculos de banda indican que debieran ser metales.
Nuestro proyecto se propone entender mejor las características de estos aislantes de Mott induciendo la transición del aislador al metal gracias a la aplicación de una presión externa. Para ello, se realizaran mediciones de transporte eléctrico en función de la temperatura aplicando presiones hidrostáticas de hasta 20 GPa. De esta manera se tratará de lograr una caracterización del diagrama de fases T-P de estos materiales poniendo en evidencia las distintas zonas que predicen modelos teóricos: el semiconductor, el aislante de Mott, el metal correlacionado, el ?metal pobre? y una zona de coexistencia entre el metal y el aislador. En paralelo se realizaran cálculos de su estructura electrónica buscando poner en evidencia su cercanía o no con otros aislantes de Mott prototípicos como el V2O3.
Se tomará este diagrama de fases como punto de partida para tratar de optimizar las propiedades de memoria volátil y no-volátil que ya han sido puestas en evidencia mediante la aplicación de campo eléctrico en estos materiales y en sus derivados a presión ambiente. Se espera que la aplicación de presión permita favorecer la aparición del estado conductor que induce el campo eléctrico y así, por similitudes y diferencias entender los mecanismos que regulan la aparición de memoria con el fin de optimizar dispositivos de memoria basados en la conmutación resistiva (Mott-RRAM).
